IRFH8303PBF Todos los transistores

 

IRFH8303PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFH8303PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 119 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1363 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFH8303PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  infineon
irfh8303pbf.pdf pdf_icon

IRFH8303PBF

StrongIRFET IRFH8303PbF VDSS 30 V RDS(on) max 1.10 mQg (typical) 58 nC RG (typical) 1.0 ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5 x 6 mm Applications Control MOSFET for synchronous buck converter Features Benefits Low RDS(ON) ( 1.10 m) Lower Conduction Losses Low Thermal Resistance to PCB (

 6.1. Size:528K  international rectifier
irfh8303.pdf pdf_icon

IRFH8303PBF

StrongIRFET IRFH8303PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 1.10 mQg (typical) 58 nC RG (typical) 1.0 ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5 x 6 mm Applications Control MOSFET for synchronous buck converter Features Benefits Low RDS(ON) ( 1.10 m) Lower Conduction Losses Low Thermal Resistance to PCB (

 7.1. Size:360K  international rectifier
irfh8307.pdf pdf_icon

IRFH8303PBF

StrongIRFET IRFH8307PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 1.3 m(@ VGS = 10V) Qg (typical) 50 nC Rg (typical) 1.3 ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (

 8.1. Size:239K  1
irfh8318trpbf.pdf pdf_icon

IRFH8303PBF

IRFH8318PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max 20 VRDS(on) max 3.1(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)4.6Qg typ19 nCPQFN 5X6 mmID 50 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (

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