IRFH8311PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH8311PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 169 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1065 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de IRFH8311PBF MOSFET
IRFH8311PBF Datasheet (PDF)
irfh8311pbf.pdf
IRFH8311PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max V 20RDS(on) max 2.1(@VGS = 10V) m(@VGS = 4.5V) 3.2Qg typ. 30 nCPQFN 5X6 mmID 80 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8311trpbf.pdf
IRFH8311PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max V 20RDS(on) max 2.1(@VGS = 10V) m(@VGS = 4.5V) 3.2Qg typ. 30 nCPQFN 5X6 mmID 80 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8311.pdf
IRFH8311PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max V 20RDS(on) max 2.1(@VGS = 10V) m(@VGS = 4.5V) 3.2Qg typ. 30 nCPQFN 5X6 mmID 80 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8318trpbf.pdf
IRFH8318PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max 20 VRDS(on) max 3.1(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)4.6Qg typ19 nCPQFN 5X6 mmID 50 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
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History: IRFH8202TRPBF
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