IRFU2407PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU2407PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de IRFU2407PBF MOSFET
IRFU2407PBF Datasheet (PDF)
irfr2407pbf irfu2407pbf.pdf

PD-95033AIRFR2407PbFIRFU2407PbF Lead-Freewww.irf.com 112/10/04IRFR/U2407PbF2 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 3IRFR/U2407PbF4 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 5IRFR/U2407PbF6 www.irf.comIRFR/U2407PbFwww.irf.com 7IRFR/U2407PbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (TO-252AA) Part Marking Informat
irfr2407 irfu2407.pdf

PD -93862IRFR2407IRFU2407HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR2407) Straight Lead (IRFU2407)D Advanced Process Technology VDSS = 75V Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingRDS(on) = 0.026G Fully Avalanche RatedDescriptionID = 42A Seventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremel
irfu2407.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU2407FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
irfr2405pbf irfu2405pbf.pdf

PD - 95369AIRFR2405PbFIRFU2405PbFl Surface Mount (IRFR2405)HEXFET Power MOSFETl Straight Lead (IRFU2405)l Advanced Process TechnologyDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.016Gl Lead-FreeDescriptionID = 56ASeventh Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectifier utilize advanced processing
Otros transistores... IRFS31N20DP , IRFSL23N20DPBF , IRFSL31N20DP , IRFSL33N15DPBF , IRFSL41N15DPBF , IRFSL52N15DPBF , IRFSL59N10DPBF , IRFU18N15DPBF , IRF2807 , IRFU24N15DPBF , IRFU3303PBF , IRFU3504ZPBF , IRFU3710Z-701PBF , IRFU3710ZPBF , IRFZ44ELPBF , IRFZ44VZLPBF , IRFZ48NSPBF .
History: IRL7833 | STB9NK70Z | KF11N50F | NCE020N30K | NTD4860NT4G | 2SK3424-ZJ | SW2N65
History: IRL7833 | STB9NK70Z | KF11N50F | NCE020N30K | NTD4860NT4G | 2SK3424-ZJ | SW2N65



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166