STE38N60 Todos los transistores

 

STE38N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE38N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
     - Selección de transistores por parámetros

 

STE38N60 Datasheet (PDF)

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 ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf pdf_icon

STE38N60

TRANSISTORSPOWER MODULESBIPOLAR IN ISOTOPFor other conf.VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf*Conf. Type(V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) (s) (s)D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35B BUT2

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STE38N60

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V

 8.2. Size:95K  1
 ste38nb50f.pdf pdf_icon

STE38N60

STE38NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE38NB50F 500 V

 8.3. Size:280K  st
 ste38nb50.pdf pdf_icon

STE38N60

STE38NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 38A - ISOTOPPowerMESH MOSFETTYPE V R IDSS DS(on) DSTE38NB50 500 V

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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