IRL1404ZSPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRL1404ZSPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 230 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 16 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 75 nC
   Tiempo de subida (tr): 180 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 970 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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IRL1404ZSPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:281K international rectifier
irl1404zpbf irl1404zspbf irl1404zlpbf.pdf

PD - 95446BIRL1404ZPbFIRL1404ZSPbFIRL1404ZLPbFFeaturesl Logic LevelHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 40Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 3.1ml Lead-FreeGID = 120ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniqu

..2. Size:285K infineon
irl1404zpbf irl1404zspbf irl1404zlpbf.pdf

5.1. Size:375K international rectifier
auirl1404zstrl.pdf

PD - 96331AUTOMOTIVE GRADEAUIRL1404ZAUIRL1404ZSAUIRL1404ZLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Logic Levell Advanced Process TechnologyV(BR)DSS 40VDl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.2.5ml Fast Switching max. 3.1ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGl Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 180A l Automotive Qu

5.2. Size:754K infineon
auirl1404z auirl1404zs auirl1404zl.pdf

AUIRL1404Z AUIRL1404ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRL1404ZL HEXFET Power MOSFET Features VDSS 40V Logic Level Advanced Process Technology RDS(on) typ. 2.5m Ultra Low On-Resistance max. 3.1m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching ID (Package Limited) 160A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

6.1. Size:252K inchange semiconductor
irl1404z.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL1404ZFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

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Liste

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