KI2323 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI2323
Código: D3*
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 191 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI2323
KI2323 Datasheet (PDF)
ki2323.pdf
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SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI2323 Features3 VDS (V) =-20V ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 60m (VGS =-4.5V)12 RDS(ON) 90m (VGS =-2.5V) G 13 D S 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 5 sec Steady State
ki2323ds.pdf
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SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 20-V (D-S) MOSFETKI2323DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.13FeaturesTrenchFET Power MOSFET12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20 VGate-Source Volta
ki2321ds.pdf
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SMD Type ICSMD Type MOSFETSMD Type MOSFETProduct specification KI2321DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4-0.1Features3VDS (V) = -30VID =-4.2A(VGS = -10V)RDS(ON)
ki2325ds.pdf
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SMD Type ICSMD Type TransistorsP-Channel 150-V (D-S) MOSFETKI2325DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features +0.10.4-0.13TrenchFET Power MOSFETUltra Low On-ResistanceSmall Size12+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source
ki2328ds.pdf
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SMD Type ICSMD Type TransistorsN-Channel 100-V (D-S) MOSFETKI2328DSSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1Features+0.10.4-0.1312+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base1. Gate2.Emitter2. Source3. Drain3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS 100 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPVD5N50CCFD | MPVU5N50CCFD | MPVA7N65F | MPVD4N70F | MPVU4N70F | MPVA4N70F | MPVD4N65F | MPVU4N65F | MPVA4N65F | MPVD2N65BK | MPVU2N65BK | MPVA2N65BK | MPVP20N65F | MPVA20N65F | MPVA20N50F | MPVT20N50B