KO6604 Todos los transistores

 

KO6604 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KO6604

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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KO6604 datasheet

 ..1. Size:3581K  kexin
 ao6604 ko6604.pdf pdf_icon

KO6604

SMD Type MOSFET Complementary Trench MOSFET AO6604 (KO6604) ( ) SOT-23-6 Unit mm Features 0.4+0.1 -0.1 N-Channel VDS=20V ID=3.4A 6 5 4 RDS(ON) 65m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 75m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 100m (VGS = 1.8V) P-Channel VDS=-20V ID=-2.5A 2 3 1 RDS(ON) 75m (VGS =-4.5V) +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V) +0

 9.1. Size:354K  kexin
 ao6601 ko6601.pdf pdf_icon

KO6604

SMD Type MOSFET Complementary Trench MOSFET AO6601 (KO6601) ( ) SOT-23-6 +0.1 0.4 -0.1 Features 6 5 4 N-Channel VDS (V) = 30V ID = 3.4 A (VGS = 10V) RDS(ON) 60m (VGS = 10V) 2 3 1 RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) +0.01 -0.01 RDS(ON) 90m (VGS = 2.5V) +0.2 -0.1 P-Channel VDS (V) = -30V ID = -2.3 A (VGS = 10V) 4 D2 1 G1 RDS

Otros transistores... KI2303 , KI2308DS , KI2312 , KI2323 , KI4435DY , KO3415 , KO6401-HF , KO6601 , K4145 , KRlML2402 , KRLML6401 , ME2302 , ME2306A , ME2306A-G , ME2306D , ME2306D-G , ME2307 .

History: PJM2309PSC | STD3PK50Z | AO4292E | 30N06G-TF3-T | AOC3862 | AGM405AP1 | 2SK3575-S

 

 

 

 

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