ME2612 Todos los transistores

 

ME2612 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME2612

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.375 Ohm

Encapsulados: SOT-223

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ME2612 datasheet

 ..1. Size:983K  matsuki electric
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ME2612

ME2612/ME2612-G N-Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 375m @VGS=10V The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 390m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially ta

 9.1. Size:1152K  matsuki electric
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ME2612

ME2614/ME2614-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2614 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 166m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 213m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

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