STH12N60 Todos los transistores

 

STH12N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH12N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218
     - Selección de transistores por parámetros

 

STH12N60 Datasheet (PDF)

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 sth12n60 sth12n60fi.pdf pdf_icon

STH12N60

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STH12N60

STH12N120K5-2, STP12N120K5, STW12N120K5, STWA12N120K5 N-channel 1200 V, 0.62 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFETs in HPAK-2, TO-220, TO-247 and TO-247 long leads Datasheet - production data Features Order codes V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH12N120K5-2 STP12N120K5 2PAK-2H TO-2201200 V 0.69 12 A 250 W STW12N120K5 STWA12N120K5 Worldwide best FOM (figure of m

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STH12N60

STH12NA60/FISTW12NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH12NA60 600 V

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STH12N60

STH12N120K5-2, STP12N120K5, STW12N120K5, STWA12N120K5 N-channel 1200 V, 0.62 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFETs in HPAK-2, TO-220, TO-247 and TO-247 long leads Datasheet - production data Features Order codes V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH12N120K5-2 STP12N120K5 2PAK-2H TO-2201200 V 0.69 12 A 250 W STW12N120K5 STWA12N120K5 Worldwide best FOM (figure of m

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History: KND8103A | KP737A | NCE1826K | IRF8852 | SSF7504A7 | WSF40N10 | MTN5N50FP

 

 
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