ME3205T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME3205T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 105 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 219 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 361 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO-220
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ME3205T datasheet
me3205t me3205t-g.pdf
ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce
me3205h-g.pdf
ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.5m @VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia
me3205f me3205f-g.pdf
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History: 2SK1941 | MTA50P01SN3
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