ME35N06-G Todos los transistores

 

ME35N06-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME35N06-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME35N06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1755K  matsuki electric
 me35n06 me35n06-g.pdf pdf_icon

ME35N06-G

ME35N06/ME35N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)32m@VGS=10V The ME35N06-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)40m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

 9.1. Size:1166K  matsuki electric
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ME35N06-G

ME35N10/ME35N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME35N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)26m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

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History: SVF7N60CSTR | BFC23 | AO4914 | FM600TU-07A | IRFR9220 | H15N10U | SIR496DP

 

 
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