ME4174 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4174
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 37 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4174
ME4174 Datasheet (PDF)
..1. Size:1164K matsuki electric
me4174 me4174-g.pdf
me4174 me4174-g.pdf
ME4174/ME4174-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)6.2m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)11m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
