ME4174 Todos los transistores

 

ME4174 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME4174

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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ME4174 datasheet

 ..1. Size:1164K  matsuki electric
 me4174 me4174-g.pdf pdf_icon

ME4174

ME4174/ME4174-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4174 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 6.2m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 11m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

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History: WMQ40DN03T1 | H10N60F | IRLML5203PBF | MTB028N10QNCQ8 | SVT068R5NT | 2SK3915-01MR | ME4454

 

 

 

 

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