ME4542 Todos los transistores

 

ME4542 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME4542
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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ME4542 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1411K  matsuki electric
 me4542 me4542-g.pdf pdf_icon

ME4542

ME4542/ME4542-G N and P- Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)25m@VGS=10V (N-Ch) The ME4542 is the N and P Channel logic enhancement mode RDS(ON)40m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON)35m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially

 9.1. Size:1677K  matsuki electric
 me4548 me4548-g.pdf pdf_icon

ME4542

ME4548/ME4548-G Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4548 is the dual N- and P-Channel logic enhancement RDS(ON) 18 m@VGS=10V (N-Ch)mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(ON) 29 m@VGS=4.5V(N-Ch)density, DMOS trench technology. This high density process is RDS(ON) 22m@VGS=-10V(P-Ch)espe

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History: IPB114N03LG | SM4066CSK

 

 
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