ME4542 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME4542
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4542
ME4542 Datasheet (PDF)
me4542 me4542-g.pdf
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me4548 me4548-g.pdf
ME4548/ME4548-G Dual N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4548 is the dual N- and P-Channel logic enhancement RDS(ON) 18 m@VGS=10V (N-Ch)mode power field effect transistors are produced using high cell RDS(ON) 29 m@VGS=4.5V(N-Ch)density, DMOS trench technology. This high density process is RDS(ON) 22m@VGS=-10V(P-Ch)espe
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