2SK1990 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1990
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
2SK1990 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2SK195 , 2SK1953 , 2SK1954 , 2SK1958 , 2SK1959 , 2SK1960 , 2SK1988 , 2SK1989 , IRFP250N , 2SK1991 , 2SK1992 , 2SK1993 , 2SK1994 , 2SK1995 , 2SK2000-R , 2SK2040 , 2SK2051-L .
History: SUN50A20CI | PMF3800SN | AP4411GM | TSM4N80CZ | IRHYB597034CM | IRFS640B | JFFM13N65D
History: SUN50A20CI | PMF3800SN | AP4411GM | TSM4N80CZ | IRHYB597034CM | IRFS640B | JFFM13N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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