ME4565AD4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ME4565AD4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME4565AD4

ME4565AD4 Datasheet (PDF)

..1. Size:1600K matsuki electric
me4565ad4 me4565ad4-g.pdf

ME4565AD4/ME4565AD4-G N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 30m@VGS=10V (N-Ch) The ME4565AD4 is the N and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 58m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 45m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is

7.1. Size:1171K matsuki electric
me4565a me4565a-g.pdf

ME4565A/ ME4565A-G N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 26.5m@VGS=10V (N-Ch) The ME4565A is the N and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 45m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 44m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is es

8.1. Size:611K matsuki electric
me4565.pdf

ME4565 N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4565 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON)40m@VGS=10V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON)45m@VGS=4.5V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON)54m@VGS=-10V (P-Ch) tailored to

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History: NTMFS5C673NLT1G

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