STH14N50 Todos los transistores

 

STH14N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH14N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO218
 

 Búsqueda de reemplazo de STH14N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STH14N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  1
 sth14n50 sth14n50fi stw14n50.pdf pdf_icon

STH14N50

 9.1. Size:766K  st
 sth140n8f7-2.pdf pdf_icon

STH14N50

STH140N8F7-2 N-channel 80 V, 3.3 m typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH140N8F7-2 80 V 4 m 90 A 200 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applicati

 9.2. Size:696K  st
 sth140n6f7.pdf pdf_icon

STH14N50

STH140N6F7-2, STH140N6F7-6 N-channel 60 V, 0.0028 typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH140N6F7-2 60 V 0.0032 80 A 158 W STH140N6F7-6 Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity

 9.3. Size:258K  inchange semiconductor
 isth140n6f7.pdf pdf_icon

STH14N50

Isc N-Channel MOSFET Transistor ISTH140N6F7FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HUF76407D3S | NTTFS4939N

 

 
Back to Top

 


 
.