STH15NA50FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH15NA50FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT218
- Selección de transistores por parámetros
STH15NA50FI Datasheet (PDF)
sth15na50.pdf

STH15NA50/FISTW15NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTH15NA50 500 V
sth15nb50fi stw15nb50.pdf

STW15NB50STH15NB50FIN-CHANNEL 500V - 0.33 - 14.6A -T0-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW15NB50 500 V
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FQAF70N15 | OSG65R038HTZF | IRFS820A | HGN024N06SL | FCP110N65F | TK3A60DA | BUK7607-30B
History: FQAF70N15 | OSG65R038HTZF | IRFS820A | HGN024N06SL | FCP110N65F | TK3A60DA | BUK7607-30B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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