KIA12N60H-220 Todos los transistores

 

KIA12N60H-220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA12N60H-220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de KIA12N60H-220 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

KIA12N60H-220 datasheet

 5.1. Size:434K  kia
 kia12n60h.pdf pdf_icon

KIA12N60H-220

12A 600V 12N60H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA12N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

 7.1. Size:305K  kia
 kia12n65h.pdf pdf_icon

KIA12N60H-220

12A 650V 12N65H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA12N65H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Otros transistores... KCM3650A , KCF9860A , KCM9860A , KCY3104S , KCY3303S , KIA10N65H , KIA10N80H-220F , KIA10N80H-3P , EMB04N03H , KIA12N60H-220F , KIA12N65H , KIA13N50H-220 , KIA13N50H-220F , KIA13N50H-263 , KIA18N50H-220F , KIA18N50H-247 , KIA20N50H-220F .

History: HD830 | WMQ37N03T1 | AP3N020P | R521 | MEE4298T | 4N70G-TM3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.