KIA4750S-220 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KIA4750S-220
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 24 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA4750S-220

KIA4750S-220 Datasheet (PDF)

6.1. Size:363K kia
kia4750s.pdf

9A500VN-CHANNELMOSFET4750SKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power2. Features RoHSCompliant R =0.7 @V =10 VDS(on) GSLowgate charge minimize switching loss Fast recovery body diode3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 6 Rev 1.0Mar. 20169A500VN-CHANNE

9.1. Size:223K kia
kia4706a.pdf

8A60V4706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =10m(typ)@ V =10 VDS(on) GS Super low gate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KIA4706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSONand gate charge

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: