KIA4750S-220 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KIA4750S-220

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220

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KIA4750S-220 datasheet

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KIA4750S-220

9A 500V N-CHANNELMOSFET 4750S KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power 2. Features RoHSCompliant R =0.7 @V =10 V DS(on) GS Lowgate charge minimize switching loss Fast recovery body diode 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1of 6 Rev 1.0Mar. 2016 9A 500V N-CHANNE

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KIA4750S-220

8A 60V 4706A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =10m (typ)@ V =10 V DS(on) GS Super low gate charge Green device available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description The KIA4706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge

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