KIA4N60H-262 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KIA4N60H-262
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 93 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.5 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA4N60H-262
KIA4N60H-262 Datasheet (PDF)
kia4n60h.pdf
4.0A600VN-CHANNELMOSFET4N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA4N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =2.3@V =10VDS(ON) GS Lowgate cha
kia4n65h.pdf
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