KIA4N60H-262 Todos los transistores

 

KIA4N60H-262 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KIA4N60H-262
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262
 

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KIA4N60H-262 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:316K  kia
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KIA4N60H-262

4.0A600VN-CHANNELMOSFET4N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA4N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =2.3@V =10VDS(ON) GS Lowgate cha

 8.1. Size:239K  kia
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KIA4N60H-262

4.0A650VN-CHANNELMOSFET4N65HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Thes

Otros transistores... KIA4603A , KIA4706A , KIA4750S-252 , KIA4750S-220 , KIA4N60H-251 , KIA4N60H-252 , KIA4N60H-220 , KIA4N60H-220F , AO4407 , KIA4N65H-251 , KIA4N65H-252 , KIA4N65H-220 , KIA4N65H-220F , KIA50N03-251 , KIA50N03-252 , KIA50N03-220 , KIA50N03BD .

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