KIA75NF75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KIA75NF75
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 240 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 76 nC
   Tiempo de subida (tr): 63 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220 TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KIA75NF75

KIA75NF75 Datasheet (PDF)

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kia75nf75.pdf

80A80V75NF75N-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =7m@V =10VDS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent2. Applications Power supply DC-DC converters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 7 Rev1.1JAN201480A80V

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Liste

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