KNB2915A Todos los transistores

 

KNB2915A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNB2915A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 428 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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KNB2915A Datasheet (PDF)

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KNB2915A

130A150VN-CHANNEL MOSFET KNX2915AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)= 10m( typ.)@ VGS=10V Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Extremely low on-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDEC criteria2. Application Motor control and drive Battery management UPS

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KNB2915A

130A100VKNX2910AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =5.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguratio

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KNB2915A

130A60VKNX2906AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =5.5m(typ.)@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power Supply UPS Power Tool3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev 1.2

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History: IRFB17N50LPBF | RU3080L | STI150N10F7 | KIA3510A-252 | IRFB3006G | IRFR4510PBF | IRFB3004G

 

 
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