KNB2915A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KNB2915A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 428 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 70 nC
Tiempo de subida (tr): 92 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KNB2915A
KNB2915A Datasheet (PDF)
knp2915a knb2915a.pdf
130A150VN-CHANNEL MOSFET KNX2915AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)= 10m( typ.)@ VGS=10V Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Extremely low on-resistance RDS(on) Excellent QgxRDS(on) product(FOM) Qualified according to JEDEC criteria2. Application Motor control and drive Battery management UPS
knb2910a knp2910a knh2910a.pdf
130A100VKNX2910AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Applications High efficiency synchronous rectification in SMPS High speed power switching2. Features R =5.0m @V =10 VDS(on) GSSuper high dense cell design Ultra lowOn-Resistance 100%avalanchetested Lead Free and Green devices available (RoHSCompliant)3. Pinconfiguratio
knd2906a knb2906a.pdf
130A60VKNX2906AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =5.5m(typ.)@ V =10VDS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current2. Applications Power Supply UPS Power Tool3.SymbolPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev 1.2
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