KNB3306B Todos los transistores

 

KNB3306B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KNB3306B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

KNB3306B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:283K  kia
 knd3306b knb3306b.pdf pdf_icon

KNB3306B

80A60VN-CHANNELMOSFET3306BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RDS(ON)=7m typ@VGS=10V Lead free and Green DeviceAvailable LowRds-onto Minimize ConductiveLoss High avalancheCurrent2. Application Power Supply DC-DCConverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Sep.201780A60VN-CHANNELMOSFET3

 8.1. Size:280K  kia
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KNB3306B

80A80VN-CHANNELMOSFETKNX3308BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =7.2m(typ)@V =10VDS(ON) GS Lead free and green device available LowRds-onto minimize conductive loss High avalanchecurrent2. Applications Power supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source1 of 6 Rev1.0Aug. 201880A80V

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History: DH100P40I | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25 | NCEAP40T17AD | IRF7103PBF | STK28N3LLH5

 

 
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