KND3203B MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

KND3203B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KND3203B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO252

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KND3203B datasheet

..1. Size:342K kia
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100A 30V KNX3203B N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTORS S 1. Features RDS(on)=3.1m @VGS=10V Uses CRM(CQ) advancedTrenchMOStechnology Extremely lowon-resistance R (on) DS Excellent QgxR (on) product(FOM) DS Qualifiedaccording toJEDECcriteria 2. Applications Motor control anddrive Battery management UPS(Uninterrupible Power Suppli

8.1. Size:423K kia
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100A 40V KNX3204A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features R =4m (typ.)@V =10V DS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply 3. Pinconfiguration Pin Pin Pin TO-252 Function TO-220 DFN5*6 T

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knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf pdf_icon

110A 60V N-CHANNELMOSFET KNX3206A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =6.5m (typ)@V =10V DS(ON) GS LowR to Minimize Conductive Loss DS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB Capability VDSS 2. Applications Power Supply DC-DCconverters 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1of 7

8.3. Size:419K kia
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