KND3204A Todos los transistores

 

KND3204A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KND3204A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 137 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KND3204A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:423K  kia
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KND3204A

100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPinPin PinTO-252 FunctionTO-220 DFN5*6T

 ..2. Size:419K  kia
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KND3204A

100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drai

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 knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf pdf_icon

KND3204A

110A60VN-CHANNELMOSFETKNX3206AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.5m(typ)@V =10VDS(ON) GS LowR to Minimize Conductive LossDS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB CapabilityVDSS2. Applications Power Supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 7

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KND3204A

100A30VKNX3203BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSS1. Features RDS(on)=3.1m@VGS=10V Uses CRM(CQ) advancedTrenchMOStechnology Extremely lowon-resistance R (on)DS Excellent QgxR (on) product(FOM)DS Qualifiedaccording toJEDECcriteria2. Applications Motor control anddrive Battery management UPS(Uninterrupible Power Suppli

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History: IRFR214A

 

 
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