KND3206A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KND3206A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KND3206A

KND3206A Datasheet (PDF)

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knd3206a knb3206a knp3206a knh3206a.pdf

110A60VN-CHANNELMOSFETKNX3206AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =6.5m(typ)@V =10VDS(ON) GS LowR to Minimize Conductive LossDS(ON) LowGate Charge for Fast SwitchingApplication OptimizedB CapabilityVDSS2. Applications Power Supply DC-DCconverters3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1of 7

8.1. Size:423K kia
knd3204a kny3204a knb3204a knp3204a.pdf

100A40VKNX3204AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features R =4m(typ.)@V =10VDS(ON),typ. GS Proprietary NewTrenchTechnology LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications DC-DCconverters DC-DCInverters Power Supply3. PinconfigurationPinPin PinTO-252 FunctionTO-220 DFN5*6T

8.2. Size:342K kia
knd3203b.pdf

100A30VKNX3203BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSEMICONDUCTORSS1. Features RDS(on)=3.1m@VGS=10V Uses CRM(CQ) advancedTrenchMOStechnology Extremely lowon-resistance R (on)DS Excellent QgxR (on) product(FOM)DS Qualifiedaccording toJEDECcriteria2. Applications Motor control anddrive Battery management UPS(Uninterrupible Power Suppli

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knd3204a knb3204a knp3204a.pdf

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knd3208a knb3208a knp3208a knh3208a.pdf

100A85VKNX3208AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewTrenchTechnology R =6.5m@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications High efficiency DC/DCconverters Synchronous Rectification UPSInverter3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 D

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Liste

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