KND4360A Todos los transistores

 

KND4360A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KND4360A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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KND4360A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  kia
 knd4360a knu4360a knp4360a knf4360a.pdf pdf_icon

KND4360A

4.0A600VN-CHANNELMOSFET4360AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R =1.9(typ.)@V =10V, I 2ADS(ON) GS D= Fast switching 100% avalanchetested Improveddv/dt capability2. Application High frequency switching mode power supply Uninterruptible Power Supply(UPS) Electronic ballast3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Sour

 8.1. Size:218K  kia
 knd4365a knf4365a.pdf pdf_icon

KND4360A

4A650VN-CHANNELMOSFET4365AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features R ,typ.=2.0 @V =10V,I =2ADS(ON) GS D Fast Switching 100%avalanchetested Improveddv/dt capability2. Application High frequency switching mode power supply Uninterruptible Power Supply(UPS) Electronic ballast3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source

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History: GSM4900W | 8N60G-TF3-T | AP4412GM

 

 
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