KNF4665A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNF4665A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KNF4665A datasheet

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KNF4665A

7.5A650V N-CHANNELMOSFET 4665A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. General Description This Power MOSFETis producedusing KIA s advanced planar stripeDMOStechnology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutationmod

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KNF4665A

7A 650V N-CHANNELMOSFET KNX4665B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description TheKNX4665B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology 2. Featur

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KNF4665A

7A 600V N-CHANNELMOSFET KNX4660A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description TheKNX4660A-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology. 2. Featu

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