KNF6650A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KNF6650A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220F

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KNF6650A datasheet

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KNF6650A

15A 500V N-CHANNELMOSFET KNX6650A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description TheKNX6650A-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology 2. Fea

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