JCS10N70FH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS10N70FH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 97.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO-220MF

 Búsqueda de reemplazo de JCS10N70FH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS10N70FH datasheet

 ..1. Size:2289K  jilin sino
jcs10n70ch jcs10n70fh.pdf pdf_icon

JCS10N70FH

 5.1. Size:2011K  jilin sino
jcs10n70c jcs10n70b jcs10n70s jcs10n70f.pdf pdf_icon

JCS10N70FH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 10A VDSS 700 V Rdson-max 1.10 @Vgs=10V Qg-typ 33.6nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts UPS UPS FEATURE

 8.1. Size:953K  jilin sino
jcs10n80fc jcs10n80gdc.pdf pdf_icon

JCS10N70FH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

 8.2. Size:1202K  jilin sino
jcs10n80f.pdf pdf_icon

JCS10N70FH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS10N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 10A ID 800 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.0 (Max) 71.6nC( Typ.) Qg APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate ch

Otros transistores... KNF6180A, KNF6450A, KNF6650A, KNF7150A, KNF7650A, KNG3303A, KNG3703A, JCS10N70CH, IRFB3607, JCS10N80F, JCS110N07, JCS12N60BT, JCS12N60ST, JCS12N65BT, JCS12N65F, JCS12N65ST, JCS13N50BC