JCS13N50CC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS13N50CC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.49 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS13N50CC

JCS13N50CC Datasheet (PDF)

..1. Size:1655K jilin sino
jcs13n50bc jcs13n50sc jcs13n50cc jcs13n50fc.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 0.49 Qg 27 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

6.1. Size:1016K 1
jcs13n50ft.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RJCS13N50FT MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.46 Qg-typ 37 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATUR

6.2. Size:1016K jilin sino
jcs13n50ft.pdf

8.1. Size:963K jilin sino
jcs13n90aba jcs13n90wa.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS13N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 13.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 0.75 -MAX Qg-Typ 66.64 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power s

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Liste

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