JCS160N08I Todos los transistores

 

JCS160N08I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS160N08I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 186 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 585 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS160N08I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  jilin sino
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JCS160N08I

N N-CHANNEL MOSFET JCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automoti

 0.1. Size:457K  jilin sino
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JCS160N08I

N N-CHANNEL MOSFET AJCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.5m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS DC/DC High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control

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JCS160N08I

N N-CHANNEL MOSFET JCS160N08I Package MAIN CHARACTERISTICS ID 160A VDSS 80V Rdson-max - 5.8m (@Vgs=10V Qg-typ 133nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automoti

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JCS160N08I

N RN-CHANNEL MOSFET JCS16N25C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 16 A VDSS 250 V Rdson-max 0.30 @Vgs=10V Qg 9.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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History: FHF8N60A | MTN50N06E3 | SSFT4004 | AP2304AGN | CPC3730 | IPI051N15N5 | SM3116NAF

 

 
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