JCS1SN60RC Todos los transistores

 

JCS1SN60RC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS1SN60RC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JCS1SN60RC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  jilin sino
 jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf pdf_icon

JCS1SN60RC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge

Otros transistores... JCS15N65FH , JCS15N70C , JCS15N70F , JCS160N08 , JCS160N08I , JCS19N20C , JCS19N20F , JCS1N70TC , 7N60 , JCS1SN60TC , JCS1SN60VC , JCS20N60FH , JCS20N65FH , JCS20N65WH , JCS2N60CB , JCS2N60FB , JCS2N60MB .

History: APT1002R4AN | HYG023N03LR1V | HYG025N06LS1C2

 

 
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