JCS1SN60RC Todos los transistores

 

JCS1SN60RC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS1SN60RC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JCS1SN60RC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  jilin sino
 jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf pdf_icon

JCS1SN60RC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge

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