JCS2N60MFB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS2N60MFB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 132 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO-126F

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JCS2N60MFB datasheet

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JCS2N60MFB

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 4.5 -MAX Qg-TYP 5.9nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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JCS2N60MFB

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JCS2N60MFB

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

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