JCS2N70VH Todos los transistores

 

JCS2N70VH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS2N70VH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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JCS2N70VH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2231K  jilin sino
 jcs2n70mfh jcs2n70vh jcs2n70rh jcs2n70ch jcs2n70fh.pdf pdf_icon

JCS2N70VH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N70H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 700 V Rdson-max 6.5 Vgs=10V Qg-typ 8.0nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

 6.1. Size:1933K  jilin sino
 jcs2n70v jcs2n70r 2n70nl.pdf pdf_icon

JCS2N70VH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS2N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 2A VDSS 700 V Rdson-max 6.5 Vgs=10V Qg-typ 10.6nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge U

 9.1. Size:1199K  jilin sino
 jcs2n60.pdf pdf_icon

JCS2N70VH

N lSX:_W:WHe^vfSO{ RN-CHANNEL MOSFET JCS2N60 ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson 5 @Vgs=10VQg 15.3 nC APPLICATIONS (u l High frequency switching

 9.2. Size:1813K  jilin sino
 jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdf pdf_icon

JCS2N70VH

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

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History: MCG30N03 | MDS1528URH | 2SK3749 | 2SK3442 | SDF360JED | APM4810K | AOT260L

 

 
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