JCS3AN150WA Todos los transistores

 

JCS3AN150WA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS3AN150WA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 368 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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JCS3AN150WA Datasheet (PDF)

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JCS3AN150WA

N N-CHANNEL MOSFET RJCS3AN150A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 3 A VDSS 1500 V Rdson-max 8.0 @Vgs=10V Qg-typ 37nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies TO-262 UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge

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