JCS4N65BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS4N65BB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 148.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 16.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72.5 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS4N65BB

JCS4N65BB Datasheet (PDF)

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jcs4n65vb jcs4n65rb jcs4n65bb jcs4n65sb jcs4n65cb jcs4n65fb.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 2.4 -Max Qg-Typ 16.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP

6.1. Size:1447K jilin sino
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R JCS4N65E JCS4N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_max 2.5 Vgs=10V Qg-typ 11.9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low gate

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RJCS4N65C JCS4N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_Typ 2.1 Vgs=1Max 2.6 0V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switchingmode power supply Electronic ballastLED LED power supply FEATURES Low g

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N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

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N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65C \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

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History: 4N65KL-T2Q-R

Liste

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