JCS4N65RB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS4N65RB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 117.9 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 16.3 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72.5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS4N65RB
JCS4N65RB Datasheet (PDF)
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N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N65B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V RdsonVgs=10V 2.4 -Max Qg-Typ 16.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UP
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RJCS4N65C JCS4N65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson_Typ 2.1 Vgs=1Max 2.6 0V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switchingmode power supply Electronic ballastLED LED power supply FEATURES Low g
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N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS4N65C \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching
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