JCS4N80FH Todos los transistores

 

JCS4N80FH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS4N80FH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
 

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JCS4N80FH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1321K  jilin sino
 jcs4n80ch jcs4n80fh.pdf pdf_icon

JCS4N80FH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 A VDSS 800 V Rdson-max 2.5 @Vgs=10V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts LED LED power supply

 6.1. Size:3308K  jilin sino
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JCS4N80FH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10VQg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

 6.2. Size:1170K  jilin sino
 jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b.pdf pdf_icon

JCS4N80FH

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10VQg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

 6.3. Size:1385K  jilin sino
 jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80s jcs4n80b.pdf pdf_icon

JCS4N80FH

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10VQg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

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History: STW48N60M2-4 | IRF2807ZPBF | IRFBE30S | JCS2N60FB | IXFX420N10T | BUK7M6R3-40E | JCS2N60T

 

 
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