JCS4N80FH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS4N80FH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220MF
- Selección de transistores por parámetros
JCS4N80FH Datasheet (PDF)
jcs4n80ch jcs4n80fh.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 A VDSS 800 V Rdson-max 2.5 @Vgs=10V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts LED LED power supply
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b jcs4n80s.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10VQg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b.pdf

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10VQg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80s jcs4n80b.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10VQg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BLF6G10-200RN | 2SK214 | NDP6050L | 2SK3325-ZJ
History: BLF6G10-200RN | 2SK214 | NDP6050L | 2SK3325-ZJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640