JCS4N80V Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N80V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO251

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JCS4N80V datasheet

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jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b jcs4n80s.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

..2. Size:1170K jilin sino
jcs4n80v jcs4n80r jcs4n80f jcs4n80c jcs4n80b.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

..3. Size:1385K jilin sino
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80C Package MAIN CHARACTERISTICS 4A ID 800 V VDSS Rdson-max 2.6 @Vgs=10V Qg-typ 29.5nC APPLICATIONS Switched mode power suppliesy Electronic ballast FEATURES Low gate charge

7.1. Size:1321K jilin sino
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N R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4 A VDSS 800 V Rdson-max 2.5 @Vgs=10V Qg-typ 14nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supply Electronic ballasts LED LED power supply