JCS50N06RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS50N06RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 87.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 34 nC
Tiempo de subida (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JCS50N06RH
JCS50N06RH Datasheet (PDF)
jcs50n06vh jcs50n06rh jcs50n06ch jcs50n06fh.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS50N06H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50 A VDSS 60 V Rdson-max 23 m @Vgs=10V Qg-typ 34 nC APPLICATIONS High frequency switch UPS mode power supplies UPS FEATURES Low gate charge
jcs50n20wt jcs50n20abt.pdf
R JCS50N20T JCS50N20T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 50A VDSS 200 V Rdson-max 50m @Vgs=10V Qg-typ 90nC APPLICATIONS High frequency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEATURES
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