JCS5N60VB Todos los transistores

 

JCS5N60VB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS5N60VB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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JCS5N60VB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:976K  jilin sino
 jcs5n60vb jcs5n60rb jcs5n60cb jcs5n60fb.pdf pdf_icon

JCS5N60VB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 5.0 A VDSS 600 V 2.4 RdsonVgs=10VQg 13.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 6.1. Size:897K  jilin sino
 jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf pdf_icon

JCS5N60VB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V RdsonVgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 8.1. Size:581K  jilin sino
 jcs5n65fb.pdf pdf_icon

JCS5N60VB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N65FB MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson-max 2.4 @Vgs=10V Qg-typ 13.3nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURES

 9.1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf pdf_icon

JCS5N60VB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

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