JCS6N70V Todos los transistores

 

JCS6N70V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS6N70V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

JCS6N70V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1533K  jilin sino
 jcs6n70v jcs6n70mp jcs6n70b jcs6n70s jcs6n70c jcs6n70f jcs6n70b jcs6n70r.pdf pdf_icon

JCS6N70V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

 0.1. Size:1319K  jilin sino
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JCS6N70V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6N70VC Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATU

 7.1. Size:1070K  jilin sino
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JCS6N70V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 6.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

 9.1. Size:1185K  jilin sino
 jcs6n90fa jcs6n90ba jcs6n90sa jcs6n90ca jcs6n90gda.pdf pdf_icon

JCS6N70V

N RN-CHANNEL MOSFET JCS6N90A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 6.0 A VDSS 900 V RdsonVgs=10V 3.0 -MAX Qg-Typ 24.0nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power suppli

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History: ZXMP10A18KTC | SGSP321 | TPCS8007-H | BSP110 | AUIRFR4620 | PSMN006-20K | NCE65T900D

 

 
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