JCS730B Todos los transistores

 

JCS730B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS730B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
 

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JCS730B Datasheet (PDF)

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 jcs730v jcs730r jcs730b jcs730s jcs730c jcs730f.pdf pdf_icon

JCS730B

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 RdsonVgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 0.1. Size:1785K  jilin sino
 jcs730vc jcs730rc jcs730sc jcs730bc jcs730cc jcs730fc.pdf pdf_icon

JCS730B

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply

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History: MTBA5Q10Q8 | JCS730C | TPCC8076 | SVG032R4NL3 | SFB087N120C2 | SSM6N37CTD | APT1004RBNR

 

 
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