JCS730F Todos los transistores

 

JCS730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS730F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JCS730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:811K  jilin sino
 jcs730v jcs730r jcs730b jcs730s jcs730c jcs730f.pdf pdf_icon

JCS730F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 RdsonVgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 0.1. Size:1785K  jilin sino
 jcs730vc jcs730rc jcs730sc jcs730bc jcs730cc jcs730fc.pdf pdf_icon

JCS730F

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply

Otros transistores... JCS6N70V , JCS6N90B , JCS6N90CH , JCS6N90FH , JCS730B , JCS730BC , JCS730C , JCS730CC , IRF9640 , JCS730FC , JCS730R , JCS730RC , JCS730S , JCS730SC , JCS730V , JCS730VC , JCS7HN60B .

 

 
Back to Top

 


 
.