JCS730S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JCS730S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de JCS730S MOSFET
JCS730S Datasheet (PDF)
jcs730v jcs730r jcs730b jcs730s jcs730c jcs730f.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 RdsonVgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES
jcs730vc jcs730rc jcs730sc jcs730bc jcs730cc jcs730fc.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply
Otros transistores... JCS730B , JCS730BC , JCS730C , JCS730CC , JCS730F , JCS730FC , JCS730R , JCS730RC , AOD4184A , JCS730SC , JCS730V , JCS730VC , JCS7HN60B , JCS7HN60C , JCS7HN60F , JCS7HN60R , JCS7HN60S .
History: NCEP033N85M | NCEAP40T35AVD | 6N60KG-TN3-R | SSF3402 | PJP5NA80 | CMLDM7585 | AON7458
History: NCEP033N85M | NCEAP40T35AVD | 6N60KG-TN3-R | SSF3402 | PJP5NA80 | CMLDM7585 | AON7458
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor

