JCS7HN60R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JCS7HN60R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 32 nC
   Tiempo de subida (tr): 35 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 251 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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JCS7HN60R Datasheet (PDF)

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jcs7hn60v jcs7hn60r jcs7hn60b jcs7hn60s jcs7hn60c jcs7hn60f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.3 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

7.1. Size:1900K jilin sino
jcs7hn65v jcs7hn65r jcs7hn65b jcs7hn65s jcs7hn65c jcs7hn65f.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max Typ 1.05 Vgs=10V Max 1.35 Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED po

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Liste

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