JCS7HN65F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS7HN65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54.34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 251 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO-220MF

 Búsqueda de reemplazo de JCS7HN65F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JCS7HN65F datasheet

Otros transistores... JCS7HN60B, JCS7HN60C, JCS7HN60F, JCS7HN60R, JCS7HN60S, JCS7HN60V, JCS7HN65B, JCS7HN65C, IRF540, JCS7HN65R, JCS7HN65S, JCS7HN65V, JCS7N60BB, JCS7N60CB, JCS7N60FB, JCS7N60SB, JCS7N65BB