JCS9N50FT Todos los transistores

 

JCS9N50FT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS9N50FT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220MF
 

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JCS9N50FT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1721K  jilin sino
 jcs9n50ct jcs9n50ft.pdf pdf_icon

JCS9N50FT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N50T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 29 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 6.1. Size:2116K  jilin sino
 jcs9n50vc jcs9n50rc jcs9n50cc jcs9n50fc.pdf pdf_icon

JCS9N50FT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N50C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 29 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURE

 9.1. Size:527K  jilin sino
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JCS9N50FT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N95A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0 A VDSS 950 V RdsonVgs=10V 1.3 -MAX Qg-Typ 39.92 APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplie

 9.2. Size:1487K  jilin sino
 jcs9n90ft jcs9n90wt jcs9n90abt jcs9n90bt.pdf pdf_icon

JCS9N50FT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

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History: WMK110N20HG2 | BRFL10N60 | IRL3705ZPBF | ME20N15-G | VS3604DM | WVM30N30 | WNMD2158

 

 
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