JCS9N90ABT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS9N90ABT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 116 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 189 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm

Encapsulados: TO-3PB

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JCS9N90ABT datasheet

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JCS9N90ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson-Max 1.35 Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED

 7.1. Size:898K  jilin sino
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JCS9N90ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N90FT Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 900 V Rdson 1.35 @Vgs=10V Qg 43 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power

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JCS9N90ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N95A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0 A VDSS 950 V Rdson Vgs=10V 1.3 -MAX Qg-Typ 39.92 APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge LED power supplie

 9.1. Size:1721K  jilin sino
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JCS9N90ABT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS9N50T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 9 A VDSS 500 V Rdson-max 0.75 @Vgs=10V Qg-typ 29 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

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